Презентация, доклад по Электротехники и электроники на тему История развития электроники

полупроводников
Школа академика А. Ф. Иоффе
Свойства полупроводников

докладом и демонстрацией работы своего радиоприёмника на заседании Физического отделения Русского физико-химического общества в Петербурге.

эксперименту датского учёного — физика Ганса Христиана Эрстеда 1820 года обнаружилась связь между электричеством и магнетизмом. На одной из своих лекций Эрстед демонстрировал слушателям нагрев проволоки от вольтова столба. Один из студентов заметил, что при замыкании гальванической цепи стрелка морского компаса, находившегося на демонстрационном столе, отклонилась. С этого дня учёные стали исследовать электромагнитные волны.
Первый аппарат, способный принимать радиосигналы в виде азбуки Морзе, появился в 1895 году. Его изобретатель — русский ученый Александр Степанович Попов. Однако авторство Попова до сих пор оспаривается. Его главным «конкурентом» принято считать итальянского радиотехника и предпринимателя Гульельмо Маркони,

который в 1896 году продемонстрировал
всему миру похожий аппарат с теми же
принципами действия. В том же году ему
был выдан первый патент в области радио.
Именно Маркони, а также немецкому
инженеру Карлу Брауну, досталась в
1909 году, уже после смерти Попова,
Нобелевская премия «за работы по
созданию беспроволочного телеграфа».

вызывает в окружающем пространстве быстроменяющееся электромагнитное поле, которое распространяется в виде электромагнитной волны. Достигая приемной антенны, электромагнитная волна вызывает в ней переменный ток той же частоты, на которой работает передатчик.

г

германиевый точечный триод (транзистор)
1948 г

Плоскостной транзистор
1951 г

плоскостной высокочастотный тетрод, полевой транзистор
1952 г

Начало развития
эпохи полупроводниковой техники и электроники. Электроника внедряется во все отрасли науки, техники и народного хозяйства. В этот период продолжалось дальнейшее усовершенствование электровакуумных приборов. Большое внимание уделяется повышению их прочности, надёжности, долговечности.

В начале 70-х годов, кроме плоскостных и дрейфовых германиевых и кремниевых транзисторов, находили широкое распространение и другие приборы, использующие свойства полупроводниковых материалов: туннельные диоды, управляемые и неуправляемые четырёхслойные переключающие приборы, фотодиоды и фототранзисторы, варикапы, терморезисторы и т.д

внесла советская школа академика А. Ф. Иоффе.
Академик А. Ф. Иоффе – член 8 академий наук (в 4-х почетный), почетный доктор 5 университетов, почетный член 3 физических обществ мира. Имел 18 званий в 10 странах. Автор более 200 научных печатных работ.

значениями удельной электропроводности , лежащей в диапазоне между удельной электропроводностью металлов и хороших диэлектриков, то есть эти вещества не могут быть отнесены как к диэлектрикам (так как не являются хорошими изоляторами), так и к металлам (не являются хорошими проводниками электрического тока).
Абрам Федорович Иоффе выяснил что полупроводники - особый класс кристаллов со многими замечательными свойствами.

отличие от металлов, у которых удельное сопротивление с повышением температуры увеличивается. Причем как правило в широком интервале температур возрастание это происходит экспоненциально:
где а - так называемая энергия активации проводимости, о - коэффициент зависящий от температуры
Удельное сопротивление полупроводниковых кристаллов может также уменьшатся при воздействии света или сильных электронных полей.
2) Свойство односторонней проводимости контакта двух полупроводников. Именно это свойство используется при создании разнообразных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, тиристоров и др.
3) Контакты различных полупроводников в определенных условиях при освещении или нагревании являются источниками фото - э. д. с. или, соответственно, термо - э. д. с.