транзисторов. Монтаж транзисторов на печатную плату.
- Главная
- Разное
- Образование
- Спорт
- Естествознание
- Природоведение
- Религиоведение
- Французский язык
- Черчение
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, фоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
Презентация, доклад на тему Медиапрезентация по теме: Работа с транзисторами
Содержание
- 1. Медиапрезентация по теме: Работа с транзисторами
- 2. Мотивация: научившись производить входной
- 3. План 1. Типы, виды и основные параметры
- 4. 1. Типы, виды и основные параметры
- 5. Транзисторы классифицируют : по количеству р-n -
- 6. Основные параметры транзисторов. 1. Предельно допустимое напряжение
- 7. 2. Входной контроль и измерение транзисторов.
- 8. С помощью справочных данных определить структуру и цоколёвку транзистора.
- 9. Устанавливаем транзистор в специальный
- 10. В этом режиме мы проверяем способность транзистора усиливать входной сигнал.
- 11. 3. Монтаж транзисторов на печатную плату.
Мотивация: научившись производить входной контроль транзисторов, Вы в дальнейшем сможете отбраковывать электрорадиоэлементы (ЭРЭ), а также производить намотку и формовку выводов этих ЭРЭ и производить качественную пайку на печатную плату.
Слайд 1Работа с электрорадиоэлементами
Ознакомление с транзисторами. Их типами и видами. Входной контроль
Слайд 2 Мотивация: научившись производить входной контроль транзисторов, Вы в
дальнейшем сможете отбраковывать электрорадиоэлементы (ЭРЭ), а также производить намотку и формовку выводов этих ЭРЭ и производить качественную пайку на печатную плату.
Слайд 3План
1. Типы, виды и основные параметры транзисторов.
2. Входной контроль и
измерение транзисторов.
3. Монтаж транзисторов на печатную плату.
3. Монтаж транзисторов на печатную плату.
Слайд 4
1. Типы, виды и основные параметры транзисторов.
Транзистором называется полупроводниковый
прибор, имеющий не менее трёх выводов и два или несколько р-n переходов.
Слайд 5Транзисторы классифицируют :
по количеству р-n - переходов (двух и более р-n
- переходов);
по материалу изготовления (германий, кремний);
по механизму движения зарядов (диффузионные, дрейфовые);
по граничной частоте (НЧ - менее 3МГц, среднечастотные - 3-З0МГц, ВЧ -30-З00МГц);
по максимальной мощности (маломощные – менее 0,3Вт, средней мощности от 0,3 до 1,2 Вт, мощные свыше 1,2Вт);
по функциональному назначению (двухпереходные - биполярные, полевые - униполярные).
по материалу изготовления (германий, кремний);
по механизму движения зарядов (диффузионные, дрейфовые);
по граничной частоте (НЧ - менее 3МГц, среднечастотные - 3-З0МГц, ВЧ -30-З00МГц);
по максимальной мощности (маломощные – менее 0,3Вт, средней мощности от 0,3 до 1,2 Вт, мощные свыше 1,2Вт);
по функциональному назначению (двухпереходные - биполярные, полевые - униполярные).
Слайд 6Основные параметры транзисторов.
1. Предельно допустимое напряжение коллектора (UK. макс.) - это
максимальное постоянное напряжение между выводами коллектора и общего электрода,
2. Обратный ток коллектора (IК0) - это ток через вывод коллектора транзистора и его коллекторный р-n-переход при разомкнутой цепи эмиттера.
3. Предельно допустимый ток коллектора (IК. макс) - это наибольшая величина постоянного тока, который, протекая длительное время в цепи коллектора, не сокращает срока службы транзистора и не ухудшает его свойств.
4. Предельно допустимая мощность (Рк. макс) - это максимальное значение мощности, рассеиваемой коллектором на нагревание транзистора.
5. Предельно допустимый ток эмиттера (IЭ. макс) - это наибольшая величина постоянного тока, который проходит длительное время через эмиттерный p-n-переход транзистора.
2. Обратный ток коллектора (IК0) - это ток через вывод коллектора транзистора и его коллекторный р-n-переход при разомкнутой цепи эмиттера.
3. Предельно допустимый ток коллектора (IК. макс) - это наибольшая величина постоянного тока, который, протекая длительное время в цепи коллектора, не сокращает срока службы транзистора и не ухудшает его свойств.
4. Предельно допустимая мощность (Рк. макс) - это максимальное значение мощности, рассеиваемой коллектором на нагревание транзистора.
5. Предельно допустимый ток эмиттера (IЭ. макс) - это наибольшая величина постоянного тока, который проходит длительное время через эмиттерный p-n-переход транзистора.
Слайд 72. Входной контроль и измерение транзисторов.
С
помощью мультиметра у транзисторов можно проверить коэффициент усиления.
Для этого стрелку переключателя ставим в положение hFE.
Для этого стрелку переключателя ставим в положение hFE.
Слайд 9 Устанавливаем транзистор в специальный штыревой разъем напротив дырок
которого нанесены надписи E B C (эмиттер , база , коллектор), а снизу NPN(слева) и PNP(справа) (структура транзистора).
Слайд 11
3. Монтаж транзисторов на печатную плату.
При монтаже транзисторов
необходимо соблюдать следующие правила:
Крепление транзисторов должно производится за корпус. Изгиб внешних выводов необходимо выполнять на расстоянии не ближе 10мм от проходного изолятора (если нет других указаний). Изгиб жёстких выводов мощных транзисторов запрещается.
Пайка выводов должна осуществляться на расстоянии не ближе 10мм от корпуса.
Мощность паяльника должна быть не больше 60Вт, время пайки – не более 3с., а температура – не выше 2000С.
В процессе монтажа необходимо исключить прохождение тока через транзистор.
Не допускается располагать транзистор вблизи тепловыделяющих элементов (сетевых трансформаторов, мощных резисторов), а также в сильных электромагнитных полях.
Крепление транзисторов должно производится за корпус. Изгиб внешних выводов необходимо выполнять на расстоянии не ближе 10мм от проходного изолятора (если нет других указаний). Изгиб жёстких выводов мощных транзисторов запрещается.
Пайка выводов должна осуществляться на расстоянии не ближе 10мм от корпуса.
Мощность паяльника должна быть не больше 60Вт, время пайки – не более 3с., а температура – не выше 2000С.
В процессе монтажа необходимо исключить прохождение тока через транзистор.
Не допускается располагать транзистор вблизи тепловыделяющих элементов (сетевых трансформаторов, мощных резисторов), а также в сильных электромагнитных полях.
