- Главная
- Разное
- Образование
- Спорт
- Естествознание
- Природоведение
- Религиоведение
- Французский язык
- Черчение
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, фоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
Презентация, доклад Исследование процессов роста твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x
Содержание
- 1. Презентация Исследование процессов роста твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x
- 2. Основные цели работы разработать новые методы получения
- 3. Установка электронно – лучевого нагрева УВН – РЭ
- 4. Схематическое изображение устройства для нагрева подложек 1
- 5. Блок-схема установки для измерения спектров катодолюминесценции 1-
- 6. Измерительный комплекс на базе АСМ «NTEGRA»
- 7. Дифрактограмма от структуры 2H-(SiC)0,36(AlN)0,64/6H-SiC
- 8. Зависимость коэффициента поглощения пленок (SiC)1-x(AlN)x при х=0,21 (1) х=0,64 (2) от энергии падающей волны
- 9. АСМ поверхности пленок (SiC)1-x(AlN)x при использовании составной
- 10. Благодарю за внимание!
Основные цели работы разработать новые методы получения карбида кремния и твердых растворов на его основе с помощью электронно-лучевой эпитаксииподобрать оптимальные условия для выращивания эпитаксиальных слоёв (SiC)1-x(AlN)x методами электронно-лучевой эпитаксии
Слайд 2Основные цели работы
разработать новые методы получения карбида кремния и твердых
растворов на его основе с помощью электронно-лучевой эпитаксии
подобрать оптимальные условия для выращивания эпитаксиальных слоёв (SiC)1-x(AlN)x методами электронно-лучевой эпитаксии
подобрать оптимальные условия для выращивания эпитаксиальных слоёв (SiC)1-x(AlN)x методами электронно-лучевой эпитаксии
Слайд 4Схематическое изображение устройства для нагрева подложек
1 – катод; 2 –
пластина; 3 – анод; 4 – фольга для закрепления подложки; 5 – кольцо для концентрации тепла; 6 – диэлектрическое основание
Слайд 5Блок-схема установки для измерения спектров катодолюминесценции
1- колонна микроскопа ЭММА-2; 2
– кварцевая линза; 3- монохроматор МДР-2; 4 – фотоумножитель; 5 – импульсный усилитель; 6 – дискриминатор; 7 – измеритель скорости счета; 8 –самописец.
Слайд 8Зависимость коэффициента поглощения пленок (SiC)1-x(AlN)x при х=0,21 (1) х=0,64 (2) от
энергии падающей волны
Слайд 9АСМ поверхности пленок (SiC)1-x(AlN)x при использовании составной мишени SiC+Al c соотношением
площадей 1 к 3
Температура выращивания (а)1000К,(b)1100К,(c)1350К
