Презентация, доклад по теме Модули оперативной памяти

контактов.

системные платы с процессами 386 и 486.
Объем памяти от 256 Кбайт до 1-2 Мбайт.
Разрядность модулей была 8 бит и устанавливали 2 или 4 модуля вместе.

и количество контактов составляло 72
Имели объем памяти равный 4,8 и 16 Мбайт, появлялись модули и 32 и 64 Мбайт

динамическая память с быстрым страничным доступом).Первое позволяет ускорить блочные передачи, а второе — снизить затраты времени на регенерацию памяти.
EDO
Микросхемы EDO(Extended Data Out — расширенное время удержания данных на выходе)  DRAM применяются в SIMM-72 и DIMM-модулях.
BEDO (Burst EDO — EDO с блочным доступом) BEDO-память применяется в модулях SIMM-72 и DIMM.

контактов
Устанавливаются вертикально и фиксируются боковыми защелками
Устанавливаются в любом количестве 1 до 4
Имеется несколько прорезей(ключей)

с синхронным доступом, работающая быстрее обычной асинхронной (FPM/EDO/BEDO). 

или 72 бита данных для контроля четности, а также 72 и 80 бит для ECC
Левый ключ определяет, является ли модуль буферизированым, а средний - определяет напряжение питания. Буферизованные DIMM, как правило, несовместимы с не буферизованными.

памяти впервые появился на рынке в 2001 году. Основное отличие между DDR и SDRAM заключается в том, что вместо удвоения тактовой частоты для ускорения работы, эти модули передают данные дважды за один такт.

в два раза более быстрым.
Впервые память DDR2 появилась в 2003 году, а чипсеты, поддерживающие ее – в середине 2004.
Основное отличие DDR2 от DDR – способность работать на значительно большей тактовой частоте, благодаря усовершенствованиям в конструкции.
Отличается от DDR числом контактов: оно увеличилось со 184 (у DDR) до 240 (у DDR2).

печатной платы (по 120 контактов с каждой стороны модуля), однако не являются электрически совместимыми с последними, и по этой причине имеют иное расположение «ключа».

(notebook, ноутбуках) и иногда для принтеров.
Емкость 2-32 Мбайт, разрядность данных — 32 или 36 бит (с контролем четности).

144-контактным разъемом
Емкость 8-512 Мбайт
Разрядность данных — 64 или 72 бита (ЕСС). 
Напряжение питания — 5 или 3,3 В
Модули могут содержать микросхемы как DRAM, так и SDRAM 8-256 Мбайт.

данных — 64 или 72 бита (ЕСС)
Шаг выводов — 0,6 мм.
Напряжение питания — 1,8 В.
Идентификация последовательная.

FPM DRAM и EDO DRAM
100-pin DIMM — используется для принтеров SDRAM
144-pin SO-DIMM — используется для SDR SDRAM (иногда также для EDO RAM) в портативных компьютерах
168-pin DIMM — используется для SDR SDRAM (реже для FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах)
172-pin MicroDIMM — используется для DDR SDRAM
184-pin DIMM — используется для DDR SDRAM
200-pin SO-DIMM — используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM
214-pin MicroDIMM — используется для DDR2 SDRAM
204-pin SO-DIMM — используется для DDR3 SDRAM
240-pin DIMM — используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM DRAM

2,5В
64M8-8 млн.строк х8(равно 64)х8 банков (часто задается в виде 64 Meg x8)
TG-66 контактный корпус микросхемы TSOP
75- время доступа 7,5 нс при задержке CL2(DDR 266)

DDR
Производитель Patriot
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 400 МГц
Пропускная способность 3200 Мб/с
Объем 512MB

4 ГБ
Тип памяти DDR3
Тип исполнения SO-DIMM
Рабочая частота (пропускная способность) 1333 МГц (PC-10600)
Номинальное напряжение 1,5 В
Дополнительно Non-ECUnbuffered