Презентация, доклад по теме: Транзисторы

Содержание

Изобретен У. Шокли, У. Браттейн, Дж. Бардин

Слайд 1Транзисторы

Транзисторы

Слайд 2Изобретен
У. Шокли, У. Браттейн, Дж. Бардин

Изобретен У. Шокли, У. Браттейн, Дж. Бардин

Слайд 3Транзистор
от сочетания английских слов:
transfer – переносить,
resistor – сопротивление.

-

полупроводниковый прибор, состоящий из трех полупроводников типов p,n,p или n,p,n.

Транзисторот сочетания английских слов: transfer – переносить, resistor – сопротивление. - полупроводниковый прибор, состоящий

Слайд 4Транзистор предназначен

для усиления электрического тока и управления им.


Для создания транзисторов используют германий и кремний
Транзистор предназначен  для усиления электрического тока и управления им.    Для создания транзисторов используют

Слайд 5Пластинку транзистора называют базой (Б), одну из областей с противоположным типом

проводимости – коллектором (К), а вторую – эмиттером (Э).

Пластинку транзистора называют базой (Б), одну из областей с противоположным типом проводимости – коллектором (К), а вторую

Слайд 6Необходимы условия для работы транзистора

Толщина базы


средней длины свободного пробега,

попадающих в нее носителей (10 мкм)

<

Концентрация основных носителей в базе

концентрации основных носителей в эмиттере

<<

1

2

Необходимы условия для работы транзистора Толщина базы средней длины свободного пробега, попадающих в нее носителей (10 мкм)

Слайд 7Германиевый транзистор p–n–p-типа
небольшая пластинка из германия с донорной примесью (индий), т. е.

из полупроводника n-типа. В этой пластинке создаются две области с акцепторной примесью, т. е. области с дырочной проводимостью.

Германиевый транзистор p–n–p-типанебольшая пластинка из германия с донорной примесью (индий), т. е. из полупроводника n-типа. В этой пластинке

Слайд 8В транзисторе n–p–n-типа
основная германиевая пластинка обладает проводимостью p-типа, а созданные

на ней две области – проводимостью n-типа.

В транзисторе n–p–n-типа основная германиевая пластинка обладает проводимостью p-типа, а созданные на ней две области – проводимостью

Слайд 9Между полупроводниками образуются два р-n- перехода, прямые направления которых противоположны
Эмиттерный

переход – переход между эмиттером и базой
Коллекторный переход - переход между базой и коллектром

Между полупроводниками образуются два р-n- перехода, прямые направления которых противоположны Эмиттерный переход – переход между эмиттером и

Слайд 10Эмиттер
Коллектор
Прямой
переход
Обратный
переход
В кристалле образуются два р-n- перехода, прямые направления которых

противоположны

База - управляющий электрод

ЭмиттерКоллекторПрямой переходОбратный переходВ кристалле образуются два р-n- перехода, прямые направления которых противоположны База - управляющий электрод

Слайд 11Обозначение на схеме
Основа действия
Изменение сопротивления в цепи
«База-Коллектор»

Обозначение на схемеОснова действия Изменение сопротивления в цепи «База-Коллектор»

Слайд 12На эмиттерный переход подают прямое напряжение U1,
то Е ↓,
переход

работает в прямом направлении,
I велик

+

-

На эмиттерный переход подают прямое напряжение U1, то Е ↓, переход работает в прямом направлении, I велик

Слайд 13Под влиянием U2 поле коллекторного перехода Ек ↑
т.к.Rк велико, то
при

отключенном Э Iк  0

+

-

Под влиянием U2 поле коллекторного перехода Ек ↑ т.к.Rк велико, топри отключенном Э   Iк 

Слайд 14При создании U между Э и Б основные носители полупроводника Р-

типа – проникают в Б, где они уже неосновные носители заряда
Толщина Б мала, e мало. почти не объединятся с e и переходят в К за счет диффузии

Э

К

Б

P

P

n

Неосновные носители заряда

в К дырки увлекаются ЭП

5% дырок рекомбинируют с e базы

-

Основные носители заряда

При создании U между Э и Б основные носители полупроводника Р- типа –    проникают

Слайд 15Убыль e в Б компенсируется их поступлением с отрицательного полюса источника

U1. В цепи Б возникает слабый I.
Убыль о в Э компенсируется уходом e на положительный полюс.
, поступающие в К, рекомбинируют с e, приходящими с отрицательного полюса источника U2
Убыль e в Б компенсируется их поступлением с отрицательного полюса источника U1. В цепи Б возникает слабый

Слайд 16Под влиянием внешних U1, U2, в цепи Б и К возникают

непрерывные токи
Iэ = IБ + Iк

IБ мал  Iэ ≈ Iк
Под влиянием внешних U1, U2, в цепи Б и К возникают непрерывные токи Iэ = IБ +

Слайд 17Чем больше U1, тем больше дырок достигает коллекторного перехода, тем I

коллектора больше. Эмиттерный переход – прямое направление
Незначительное изменение Uэ вызывает большие изменения Iк
Происходит усиление сигнала по мощности

Pнагрузки > Pцепи Э

Чем больше U1, тем больше дырок достигает коллекторного перехода, тем I коллектора больше. Эмиттерный переход – прямое

Слайд 18Если в цепь Э включить источник слабых эл. колебаний, то это

вызовет колебания I в сопротивлении нагрузки R.
При большом R нагрузки колебания Uрезис >> Uэ   усилительные свойства транзистора по U
Если в цепь Э включить источник слабых эл. колебаний, то это вызовет колебания I в сопротивлении нагрузки

Слайд 22Преимущества
Недостатки
Не потребляют большой мощности
Компактны по размерам и массе


Работают при более низких напряжениях
Высокой КПД (50%)
Малые размеры
Большая мех. прочность

Большая чувствительность к повышению температуры
Чувствительность к статическому электричеству

Транзисторы

Преимущества Недостатки Не потребляют большой мощности Компактны по размерам и массе Работают при более низких напряженияхВысокой КПД

Слайд 23Применение
Заменяют электронные лампы в электрических цепях
Портативная радиоаппаратура
Цифровая техника
Процессоры

Применение Заменяют электронные лампы в электрических цепяхПортативная радиоаппаратура Цифровая техникаПроцессоры

Слайд 24Применение
Транзисторы в процессоре, на материнской плате, различных картах расширения и

периферийных устройствах реагируют на цифровые сигналы, поступающие от других устройств.
Современный компьютер представляет собой набор электронных переключателей – транзисторов.

Применение Транзисторы в процессоре, на материнской плате, различных картах расширения и периферийных устройствах реагируют на цифровые сигналы,

Слайд 25Применение
В зависимости от подаваемого напряжения, транзистор может быть либо открыт, либо закрыт.
При

достаточно напряжении транзистор открывается, а мы получаем значение «включен» или "1" в двоичной системе. 
Такое состояние, 0 или 1, назвали «битом».
ПрименениеВ зависимости от подаваемого напряжения, транзистор может быть либо открыт, либо закрыт. При достаточно напряжении транзистор открывается, а мы

Слайд 26Применение
Подключив всего два транзистора определенным образом, можно добиться выполнения сразу нескольких

логических действий: «и», «или». Комбинация величины напряжения на каждом транзисторе и тип их подключения позволяет получить разные комбинации нулей и единиц.
ПрименениеПодключив всего два транзистора определенным образом, можно добиться выполнения сразу нескольких логических действий: «и», «или». Комбинация величины

Слайд 27Процессор Intel core i7 содержит около миллиарда транзисторов.

Процессор Intel core i7 содержит около миллиарда транзисторов.

Что такое shareslide.ru?

Это сайт презентаций, где можно хранить и обмениваться своими презентациями, докладами, проектами, шаблонами в формате PowerPoint с другими пользователями. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика

Обратная связь

Email: Нажмите что бы посмотреть