- Главная
- Разное
- Образование
- Спорт
- Естествознание
- Природоведение
- Религиоведение
- Французский язык
- Черчение
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, фоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
Презентация, доклад на тему Повторение темы: Контакт полупроводников p и n типа
Содержание
- 1. Повторение темы: Контакт полупроводников p и n типа
- 2. p - n переход- контакт между полупроводниками с различными типами проводимости.
- 3. Образование p-n переходаБлагодаря тепловому движению электроны переходят
- 4. Из дырочной области дырки диффундируют в электронную,
- 5. В результате диффузии электронов и дырок на
- 6. Электрический ток через p-n переход 1. Запирающий режим (обратный переход)Неосновные носители заряда
- 7. Электрический ток через p-n переход 2. .Пропускной режим (прямой переход)Основные носители заряда
- 8. Вывод P-n переход по отношению к току оказывается несимметричным В прямом направлении сопротивление перехода
- 9. Слайд 9
- 10. Полупроводниковый диод- полупроводник, в котором введением примесей,
- 11. Виды диодов Точечные (для сильных токов)Плоскостные (для выпрямления слабых токов)
- 12. Особенности диода высокий КПДмалые размеры и массадлительный
- 13. n-р-n (р-n-р)переход(транзистор)усилениеэлектр.сигналов
p - n переход- контакт между полупроводниками с различными типами проводимости.
Слайд 3Образование p-n перехода
Благодаря тепловому движению электроны переходят в дырочную область, оставляя
в электронной области некомпенсированные положительные ионы
Перейдя в дырочную область, электроны рекомбинируют с дыркой. Образуются некомпенсированные отрицательные ионы
Перейдя в дырочную область, электроны рекомбинируют с дыркой. Образуются некомпенсированные отрицательные ионы
Слайд 4Из дырочной области дырки диффундируют в электронную, оставляя некомпенсированные отрицательные ионы.
Перейдя в электронную область дырки рекомбинируют с электронами и в электронной области образуются некомпенсированные положительные ионы.
Слайд 5В результате диффузии электронов и дырок на границе между областями образуется
двойной слой разноименно заряженных ионов.
Между слоями ионов возникает ∆φ = 0,4-0,8 В.
Образовавшееся ЭП препятствует дальнейшей диффузии основных носителей заряда
Между слоями ионов возникает ∆φ = 0,4-0,8 В.
Образовавшееся ЭП препятствует дальнейшей диффузии основных носителей заряда
Слайд 6Электрический ток через p-n переход
1. Запирающий режим (обратный переход)
Неосновные носители
заряда
Слайд 7Электрический ток через p-n переход
2. .Пропускной режим (прямой переход)
Основные носители
заряда
Слайд 8Вывод
P-n переход по отношению к току оказывается несимметричным
В прямом
направлении сопротивление перехода << чем в обратном.
Односторонняя проводимость
Односторонняя проводимость
Слайд 10Полупроводниковый диод
- полупроводник, в котором введением примесей, созданы две примыкающие друг
к другу области p и n типа.
для выпрямление переменного тока
+
-
Слайд 12Особенности диода
высокий КПД
малые размеры и масса
длительный срок службы
высокая механ. прочность
надежность
работает
в ограниченном интервале температур (-70 ºС до +125ºС)
не нужен источник для получения свободных носителей заряда
не нужен источник для получения свободных носителей заряда
