Презентация, доклад на тему Повторение темы: Контакт полупроводников p и n типа

Содержание

p - n переход- контакт между полупроводниками с различными типами проводимости.

Слайд 1Контакт полупроводников p и n типа

Контакт полупроводников  p и n типа

Слайд 2p - n переход
- контакт между полупроводниками с различными типами проводимости.


p - n переход- контакт между полупроводниками с различными типами проводимости.

Слайд 3Образование p-n перехода
Благодаря тепловому движению электроны переходят в дырочную область, оставляя

в электронной области некомпенсированные положительные ионы





Перейдя в дырочную область, электроны рекомбинируют с дыркой. Образуются некомпенсированные отрицательные ионы
Образование p-n переходаБлагодаря тепловому движению электроны переходят в дырочную область, оставляя в электронной области некомпенсированные положительные ионы

Слайд 4Из дырочной области дырки диффундируют в электронную, оставляя некомпенсированные отрицательные ионы.







Перейдя в электронную область дырки рекомбинируют с электронами и в электронной области образуются некомпенсированные положительные ионы.
Из дырочной области дырки диффундируют в электронную, оставляя некомпенсированные отрицательные ионы. Перейдя в электронную область дырки рекомбинируют

Слайд 5В результате диффузии электронов и дырок на границе между областями образуется

двойной слой разноименно заряженных ионов.
Между слоями ионов возникает ∆φ = 0,4-0,8 В.
Образовавшееся ЭП препятствует дальнейшей диффузии основных носителей заряда
В результате диффузии электронов и дырок на границе между областями образуется двойной слой разноименно заряженных ионов. Между

Слайд 6Электрический ток через p-n переход
1. Запирающий режим (обратный переход)

Неосновные носители

заряда
Электрический ток через p-n переход 1. Запирающий режим (обратный переход)Неосновные носители заряда

Слайд 7Электрический ток через p-n переход
2. .Пропускной режим (прямой переход)

Основные носители

заряда
Электрический ток через p-n переход 2. .Пропускной режим (прямой переход)Основные носители заряда

Слайд 8Вывод
P-n переход по отношению к току оказывается несимметричным
В прямом

направлении сопротивление перехода << чем в обратном.


Односторонняя проводимость

Вывод P-n переход по отношению к току оказывается несимметричным В прямом направлении сопротивление перехода

Слайд 10Полупроводниковый диод
- полупроводник, в котором введением примесей, созданы две примыкающие друг

к другу области p и n типа.

для выпрямление переменного тока

+

-

Полупроводниковый диод- полупроводник, в котором введением примесей, созданы две примыкающие друг к другу области p и n

Слайд 11Виды диодов
Точечные
(для сильных токов)
Плоскостные

(для выпрямления слабых токов)
Виды диодов Точечные    (для сильных токов)Плоскостные    (для выпрямления слабых токов)

Слайд 12Особенности диода
высокий КПД
малые размеры и масса
длительный срок службы
высокая механ. прочность
надежность
работает

в ограниченном интервале температур (-70 ºС до +125ºС)
не нужен источник для получения свободных носителей заряда

Особенности диода высокий КПДмалые размеры и массадлительный срок службывысокая механ. прочностьнадежностьработает в ограниченном интервале температур (-70 ºС

Слайд 13n-р-n (р-n-р)
переход
(транзистор)
усиление
электр.
сигналов

n-р-n (р-n-р)переход(транзистор)усилениеэлектр.сигналов

Что такое shareslide.ru?

Это сайт презентаций, где можно хранить и обмениваться своими презентациями, докладами, проектами, шаблонами в формате PowerPoint с другими пользователями. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика

Обратная связь

Email: Нажмите что бы посмотреть